 大芯超导有限公司元器件专业分销BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半导体碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二极管,BASiC SiC碳化硅模块，BASiC基本半导体SiC碳化硅MOSFET模块，BASiC基本半导体单管IGBT，BASiC基本半导体IGBT模块，BASiC基本半导体三电平IGBT模块，BASiC基本半导体I型三电平IGBT模块，BASiC基本半导体T型三电平IGBT模块，BASiC 混合IGBT单管，BASiC 混合IGBT模块，BASiC 三电平IGBT模块。BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块适合应用于双向AC-DC电源，能量的双向流通的双向 LLC 谐振变换器，变换效率高，被广泛应用于新能源领域,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块使用于双向DC/DC变换器为双向非隔离型直流变换器，实现直流升压降压转换，高压侧接入PV直流侧，三相维也纳PFC电路,三电平LLC直流变换器,移相全桥拓扑，低压侧接电池组。 LLC谐振变换器能实现全负载范围内开关管的零电压开通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他开关电源,其输入输出电压调节范围较宽,且具有高效率,低噪声,高功率密度等诸多优点.与传统Si基功率器件相比,BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块具有更加优良的特性,更加适用于高频高压大功率场合.针对单相LLC谐振变换器在大电流大功率输出应用时的不足,采用三相交错并联的LLC谐振变换器拓扑并将其与BASiC基本半导体碳化硅SiC功率MOSFET,基本半导体混合SiC-IGBT单管，BASiC基本半导体混合SiC-IGBT模块相结合提升功率密度.双向LLC谐振变换器广泛应用于充电桩电源模块，V2G电源模块，电网储能PCS，从调峰调频到备电、价差套利，储能将成为新型电力系统的稳定器，双向LLC谐振变换器电源模块化助推储能PCS业务发展。 
BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。英飞凌单管IGBT国产代替主要规格有BG50N65HA1，BGH50N65HF1（IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代，IKW50N65ES5国产替代，IKW50N65EH5国产替代，IKW50N65ET7国产替代），BGH50N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，单相光伏逆变器Heric电路 (IKW50N65SS5国产替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5国产替代），BG75N65HA1，BGH75N65HF1（IKW75N65RH5国产替代，IKW75N65ES5国产替代，IKW75N65EH5国产替代，IKW75N65ET7国产替代），BGH75N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路，单相光伏逆变器Heric电路 (IKW75N65SS5国产替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5国产替代），BGH40N120HF典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路，T型三电平横管（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7国产替代）,BGH75N120HS 典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路，T型三电平横管 (IKQ75N120CH3国产替代，IKQ75N120CS6国产替代，)特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：户用光伏逆变器650V混合SiC IGBT单管，户用光伏逆变器，组串光伏逆变器，户用储能逆变器，双向变流器，双向逆变器，车载充电机（OBC）、ESS储能系统、PV inverter光伏逆变器、UPS不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS) ，基本半导体混合碳化硅分立器件将新型场截止IGBT技术和碳化硅肖特基二极管技术相结合，为硬开关拓扑打造了一个兼顾品质和性价比的方案。该器件将传统的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使IGBT的开关损耗大幅降低，适用于车载电源充电机（OBC）、通信电源、高频DC-DC电源转换器、储能等领域。 
高效逆变器用 HERIC 电路和相关工艺可用于单相逆变器，该拓扑是在H桥的桥臂两端加上两个反向的开关管进行续流，以达到续流阶段电网与光伏电池隔离的目的,尤其是在低功率范围内（如屋顶光伏系统），其基于传统H4电路上在交流侧加入旁路功能的代和二代产品的优点，采用JBS结构，优化了N-外延层的掺杂浓度，减薄N+衬底层，使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC，可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。
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