STEK系列KTP普克尔盒
STEK-PCK KTP普克尔盒是用特殊生长的高电阻率KTP晶体制成的新产品系列。KTP晶体比RTP晶体具有更好的光学均匀性和更高的损伤阈值。其突出特点是可以在高占空比下运行KTP开关的同时还可时长时间保持高电压。
主要应用
高重复率激光器1 kHz-1 MHz的调Q
高重复率激光器的脉冲选择器
主要特点
相较于双BBO普克尔盒电池电压要求小两倍
高占空比运行
极低的压电共振
标准通光孔径：4x4、6x6和8x8 mm
| 型号 | STEK-PCK4 | STEK-PCK4-O | STEK-PCK6 | STEK-PCK6-O |
| 通光孔径, mm | 3.5 | 3.5 | 5.5 | 3.5 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长), mm | 4x4x10 | 4x4x10 | 6x6x10 | 4x4x10 |
| 晶体数量 | 2 | 2 | 2 | 2 |
| 半波电压 (@ 1064 nm), kV DC | <1.8 | <1.8 | <2.5 | <1.8 |
| 电容, pF | 4 | 4 | <6 | 4 |
| 光通过率, % | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 对比率 | >1:500 | >1:500 | >1:500 | >1:500 |
| 外形尺寸, mm | Ø25.4x42.2 | 25x11.1x7.5 | Ø25.4x42.2 | 25x13.8x10.6 |
STEK系列KD*P普克尔盒
普克尔盒的作用是在KD*P等电光晶体的电极上施压用来改变通过这些晶体的的光的偏振态。当它与偏振器一起使用时，普克尔盒可以用作快速关断开关。典型应用包括激光腔的调Q，实现激光腔倒空将光注入或从再生放大器中耦合出来。KD*P普克尔盒通常用于400～1.1μm的调Q应用。市面大多数灯泵浦Nd:YAG激光器和低重复率半导体Nd:YAG激光器的激光腔调Q开关都是使用KD*P普克尔盒。所有的电光KD*P晶体都镀有高损伤阈值AR膜层。此外，STEK-PC12SR和STEK-D-compact系列的普克尔盒还特有AR镀膜窗口，可以保护和提高此产品在不太好的环境中的使用寿命。
主要特点
价格经济
结构紧凑
低光吸收
光传输范围400-1100nm
主要应用
激光腔调Q
激光腔倒空
| 产品型号 | STEK-PC5S | STEK-PC5D | STEK-PC10S | STEK-D-Compact/ 9 | STEK-D-Compact/12 |
| 通光孔径, mm | 4.5x4.5 | 4.5x4.5 | 9.5x9.5 | Ø8 | Ø11 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长)mm | 5x5x16 | 5x5x16 | 10x10x25 | Ø9x20 | Ø12x24 |
| 晶体数量 | 1 | 2 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波电压 1064nm, kV DC | <6.5 | <3.4 | <6.8 | <6.8 | <6.8 |
| 电容, pF | 1.5 | 3 | 4 | 6 | 6 |
| 光通过率, % | >97 | >97 | >97 | >97 | >97 |
| 对比度1) | > 1:2000 | >1:1000 | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | 18x14x25 | 23x16x52 | 22x18x33 | Ø25.4x35 | Ø25.4x39 |
1) 交叉极化法测量。所有的晶体镀镆层 AR/AR@1064 nm. 可根据客户要求提供其他镀膜，损伤阈值>5 J/cm2，1064 nm， 10ns
| 产品型号 | STEK-PC12SR | STEK-PCR12SR-532 | STEK-PCR12SR-694 |
| 通光孔径, mm | Ø 11 | Ø 11 | Ø 11 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长)mm | Ø 12x24 | Ø 12x24 | Ø 12x24 |
| 晶体数量 | 1 | 1 | 1 |
| λ/2 半波电压 1064nm, kV DC | @1064 nm <6.8 kV DC | @532 nm <3.5 kV DC | @694 nm <4.5 kV DC |
| 电容, pF | 6 | 6 | 6 |
| 光通过率, % | >97 | >96 | >97 |
| 对比度1) | >1:2000 | >1:2000 | >1:2000 |
| 尺寸, mm | Ø 35 x 41.4 | Ø 35 x 41.4 | Ø 35 x 41.4 |
交叉极化法测量
STEK系列BBO普克尔盒
此系列普克尔盒是在BBO等电光晶体的电极上施压用来改变通过这些晶体的的光的偏振态。当与偏振器一起使用时，它可以用作快速关断开关。典型应用包括激光腔的调Q，实现激光腔倒空将光注入或从再生放大器中耦合出来。BBO普克尔盒通常用在从紫外到2μm以上的波长范围。PCB系列的普克尔盒是横向磁场器件。BBO电光系数低，工作电压高。四分之一波电压与电极间距和晶体长度的比值成正比。因此，小通光孔径的普克尔合的四分之一波电压也较低。对于通光孔径达到2.5mm的普克尔盒 ，其四分之一波电压高达4kv@1064nm。此产品采用双晶体设计以降低所需电压，并可在半波模式下快速切换。
主要特点
减小压电振铃
低吸收
陶瓷孔径
200 nm~ 2000 nm传输范围
结构紧凑
主要应用
高重复频率的半导体Q开关
高重复频率的再生放大器控制
腔倒空
束流脉冲调制
| 产品型号 | STEK-PCB3S | STEK-PCB3D | STEK-PCB3S/25 | STEK-PCB3D/25 | STEK-PCB4S | STEK-PCB4D |
| 通光孔径, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 2.5 | 3.5 | 3.5 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长), mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 3x3x25 | 3x3x25 | 4x4x20 | 4x4x20 |
| 晶体数量 | 1 | 2 | 1 | 2 | 1 | 2 |
| 1/4波电压 (@ 1064nm), kVDC | <3.5 | <1.8 | <3.0 | <1.5 | <4.6 | <2.3 |
| 电容, pF | 4 | 6 | 4 | 6 | 3 | 6 |
| 光通过率, % | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 | >98 |
| 对比度1) | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 | >1:1000 | >1:500 |
| 尺寸, mm | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 | Ø25.4x42.2 | Ø25.4x67.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x57.2 |
所有的晶体镀镆层 AR/AR@1064 nm. 可根据客户要求提供其他镀膜，损伤阈值>5 J/cm2，1064 nm， 10ns
| 产品型号 | STEK-PCB3S-1342 | STEK-PCB3D-800 | STEK-PCB3S-532 |
| 通光孔径, mm | 2.5 | 2.5 | 2.5 |
| 晶体尺寸 (宽x高x长) mm | 3x3x20 | 3x3x20 | 4x4x20 |
| 晶体数量 | 2 | 1 | 1 |
| 四分之一波电压, kVDC | <2.4 | <2.6 | <2.25 |
| 波长, nm | 1342 | 800 | 532 |
| 电容, pF | 4 | 6 | 4 |
| 光通过率, % | >98 | >98 | >98 |
| 对比度1) | >1:500 | >1:1000 | >1:1000 |
| 尺寸, mm | Ø25.4x57.2 | Ø25.4x37.2 | Ø25.4x37.2 |
1) 交叉极化法测量